芯城品牌采購網(wǎng) > 品牌資訊 > 技術方案 > 英諾賽科推出 100V 雙冷卻封裝 GaN 芯片新品
全球領先的氮化鎵（GaN）供應商英諾賽科（Innoscience）宣布，推出兩款基于 100V 雙冷卻 En-FCLGA 封裝的新產(chǎn)品 ——INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD。這兩款產(chǎn)品可助力太陽能微型逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS，直流輸入）及最大功率點跟蹤（MPPT）優(yōu)化器實現(xiàn)最高效率。
產(chǎn)品概況與封裝優(yōu)勢
兩款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，采用與此前發(fā)布的 INN100EA035A 相同的雙冷 En-FCLGA 3.3X3.3 封裝。該封裝是業(yè)界首款硅場效應晶體管（SFET）的點對點（P2P）替代品，能立即提升系統(tǒng)效率并提高功率密度：在 36V 至 80V 輸入條件下，系統(tǒng)功率損耗可降低 50% 以上。
英諾賽科領先的 Dual-Cool En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)單冷卻封裝相比，導熱率高出 65%，可顯著改善系統(tǒng)熱性能、降低工作溫度、提升效率，并實現(xiàn)更高功率密度（同時降低 BOM 成本）。
產(chǎn)品亮點
- 先進的 100V E-mode GaN 技術：具備極低的柵極電荷（QG,typ @ VDS）、超低的導通電阻（RDS (on)），且占板面積極小。
- 100V Dual-cool En-FCLGA 封裝：采用 En-FCLGA3.3X3.3 規(guī)格，Rdson_Max 為 5~7mohm，支持雙面散熱，可直接點對點替代 Source down MOS。
性能與應用優(yōu)勢
性能優(yōu)勢
- 超低導通電阻，大幅降低能量損耗；
- 超低驅動和開關損耗，減少系統(tǒng)能量損耗并提高響應速度；
- 緊湊尺寸設計，在空間有限的場景中優(yōu)勢顯著；
- 雙面散熱，提升散熱效率，增強系統(tǒng)可靠性與穩(wěn)定性。
應用優(yōu)勢
- PCB 布局友好，垂直電路路徑設計最小化 PCB 寄生電阻；
- 系統(tǒng)效率高，在 36V-80V 輸入條件下，效率均超 95.5%；
- 支持光伏優(yōu)化器 MPPT 應用，全面提升效率并降低系統(tǒng)損耗。
量產(chǎn)與后續(xù)規(guī)劃
目前，英諾賽科 Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3 封裝系列的三款產(chǎn)品 ——INN100EA035A、INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD 均已成功量產(chǎn)，可承接批量訂單并實現(xiàn)交付。
此外，英諾賽科 100V P2P Drain down MOS 的 En-FCLGA 5X6 封裝產(chǎn)品組合即將發(fā)布，電阻涵蓋 1.8~5mohm，值得期待。
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